在諸(zhū)多(duō)挑(tiāo)戰當(dāng)中，對(duì)於2nm/3nm工藝的競逐或將成為未來三大半導(dǎo)體(tǐ)廠(chǎng)商麵(miàn)臨的(dí)重大(dà)挑戰。隨著5G，雲(yún)計算，大數(shù)據相關應用(yòng)的(dí)帶(dài)動(dòng)，未(wèi)來(lái)幾年(nián)市場(cháng)對高性能(néng)，低(dī)功(gōng)耗(hào)芯片(piàn)的(dí)需(xū)求將不(bù)斷(duàn)增長，也就(jiù)更(gēng)加需要先(xiān)進工(gōng)藝的支撐。2nm/3nm有可能(néng)成為三(sān)大半導(dǎo)體廠商在(zài)代工領域角力(lì)的一個“勝負手"。
按照(zhào)規(guī)劃，三星電子將於2022年(nián)上半年開始生產3nm芯片，第(dì)二代(dài)3nm芯片預計將(jiāng)於2023年開始生產(chǎn)，2025年(nián)推出2nm工藝(yì)。台積電的(dí)計劃(huá)則(zé)是2022年下半(bàn)年(nián)量(liáng)產3nm工(gōng)藝，2nm工藝(yì)將在2025年實(shí)現量產。在英(yīng)特爾(ěr)的技(jì)術路(lù)綫圖(tú)中，相(xiāng)當於7nm的Intel 4預計在2022年下半年投產(chǎn)。Intel 3將具備(bèi)更多功(gōng)能，並在(zài)每瓦(wǎ)性能上實現(xiàn)約18%的(dí)提升，預(yù)計(jì)在(zài)2023年下半年投產。Intel 20A通過RibbonFET和(hé)PowerVia這兩項技術開啟埃米(mǐ)時(shí)代(dài)，將(jiāng)在每(měi)瓦性能上(shàng)實(shí)現約15%的(dí)提(tí)升(shēng)，並(bìng)將於(yú)2024年(nián)上半(bàn)年投產。Intel 18A在每(měi)瓦性能上將(jiāng)實現(xiàn)約10%的(dí)提(tí)升，預計在2024年(nián)下(xià)半年(nián)投產。可(kě)以(yǐ)看(kàn)出(chū)，三方在先(xiān)進(jìn)工藝上(shàng)都咬得(dé)很緊(jǐn)。
針對(duì)未來(lái)的發展，莫(mò)大康認為，隨(suí)著英特爾(ěr)的強(qiáng)勢介入，代工領(lǐng)域(yù)頭部陣(zhèn)營(yíng)或(huò)將呈現台(tái)積電居(jū)首(shǒu)，英特(tè)爾(ěr)居次，三星第(dì)三的新格(gé)局(jú)。台積電(diàn)在代工領(lǐng)域(yù)的優勢(shì)十分(fēn)明(míng)顯，短(duǎn)期內很(hěn)難(nán)有人(rén)能夠撼動。三星(xīng)目前雖然(rán)位居代工市場(cháng)的第(dì)二(èr)位(wèi)，但(dàn)是三(sān)星(xīng)同時(shí)也(yě)是大的存(cún)儲芯(xīn)片供應商(shāng)，這就(jiù)要(yào)求三(sān)星(xīng)在存(cún)儲(chǔ)領(lǐng)域同(tóng)樣(yàng)保持(chí)大量資本(běn)支出，以維(wéi)持地位(wèi)不動搖(yáo)，很難(nán)有更(gēng)大的力量投入邏輯芯片代工。而英特爾在邏(luó)輯(jí)芯(xīn)片製造(zào)方(fāng)麵具有*的(dí)實力，其(qí)每年的研發投入均居全(quán)球半導體廠商。同時，英(yīng)特(tè)爾(ěr)在封(fēng)裝(zhuāng)技術上(shàng)亦(yì)有著(zhuó)不(bù)弱於台積電的(dí)實力(lì)，盡管其(qí)在前道(dào)工(gōng)藝上(shàng)暫時落(là)後。因(yīn)而，英特(tè)爾(ěr)一旦決心(xīn)投入(rù)代工市(shì)場(cháng)，發(fā)展(zhǎn)潛(qián)力(lì)不容忽視。“此(cǐ)前(qián)在(zài)基(jī)帶芯片上蘋果(guǒ)就(jiù)曾與英(yīng)特爾有著密(mì)切的合作。一旦(dàn)在(zài)2nm/3nm工藝(yì)發(fā)展(zhǎn)起來，未(wèi)來(lái)英特爾代(dài)工同(tóng)樣擁(yōng)有(yǒu)著(zhuó)爭(zhēng)奪蘋(píng)果(guǒ)訂單的實(shí)力。"莫(mò)大康強(qiáng)調(tiáo)。
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更新時(shí)間(jiān)：2024-02-22 
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