小王(wáng)子(zǐ)介(jiè)紹有(yǒu)關 ALD 設備的其(qí)他信息

更新(xīn)時(shí)間(jiān)：2024-08-30

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小(xiǎo)王子介紹(shào)有(yǒu)關(guān) ALD 設備(bèi)的其他信息

1. ALD，CVD，PVD技(jì)術的區別(bié)

CVD是一種薄膜沉(chén)積技術，以(yǐ)“化學(xué)氣相(xiāng)沉積(jī)"的(dí)縮(suō)寫命名，PVD是“物理(lǐ)氣(qì)相(xiāng)沉積(jī)"的縮(suō)寫。

由於 ALD 使用(yòng)氣體，因此(cǐ)也稱(chēng)為 CVD 的一(yī)種(zhǒng)。然而，與 CVD 不(bù)同，CVD 中(zhōng)氣體分解產(chǎn)生(shēng)的 SiO2 和 SiNx 等(děng)化合物(wù)會(huì)像(xiàng)灰塵(chén)一樣(yàng)堆(duī)積(jī)，而 ALD 的(dí)不同之處在於(yú)它(tā)可(kě)以一次形成(chéng)一層(céng)薄膜。

PVD是一(yī)種(zhǒng)利(lì)用物(wù)理(lǐ)方法(fǎ)而不是氣體(tǐ)形成(chéng)薄膜的(dí)技術。 PVD是(shì)在(zài)真(zhēn)空(kōng)中(zhōng)對(duì)成(chéng)膜(mó)材料進(jìn)行加熱(rè)，濺(jiàn)射，離子(zǐ)束照(zhào)射或激光照射(shè)，使成膜(mó)材料蒸(zhēng)發，分散(sàn)成顆粒，然後(hòu)附著(zhuó)沉(chén)積在目(mù)標(biāo)物體上的方(fāng)法。

當(dāng)使(shǐ)用(yòng) ALD 沉(chén)積(jī)薄膜時，可(kě)以在比使(shǐ)用(yòng) CVD 和(hé) PVD 沉(chén)積薄膜(mó)時更窄，更(gēng)深(shēn)的結構(gòu)上沉(chén)積薄膜。特別是(shì)，ALD技術在(zài)尺寸為100納米(mǐ)或(huò)更(gēng)小的孔(kǒng)隙(xì)上沉(chén)積薄膜(mó)時(shí)表(biǎo)現(xiàn)出優異的(dí)塗覆能(néng)力。由於ALD氣體可以(yǐ)深入滲(shèn)透形成(chéng)薄膜，因(yīn)此(cǐ)即(jí)使(shǐ)在具有許多小(xiǎo)孔(kǒng)的(dí)物體(tǐ)上(shàng)也具(jù)有塗覆(fù)能力(lì)的技(jì)術(shù)。

2. ALD設備的(dí)全(quán)球市場(cháng)

預計到 2028 年，全(quán)球(qiú) ALD 市場將達到 65 億美元。在目(mù)前(qián)的薄膜成型(xíng)市場(cháng)中，CVD占據了大(dà)部(bù)分(fēn)。其中(zhōng)，ALD技(jì)術(shù)不僅(jǐn)在(zài)半(bàn)導體(tǐ)器(qì)件(jiàn)的製(zhì)造過程中發(fā)揮(huī)著(zhuó)非常重要的(dí)作用，而(ér)且還具有較(jiào)高(gāo)的沉積性(xìng)能和生(shēng)產速(sù)度(dù)。因(yīn)此，ALD技術被(bèi)認為是(shì)一個(gè)將持續增長並不(bù)斷發展其(qí)自身重(zhòng)要性(xìng)的市(shì)場(cháng)。

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小王(wáng)子(zǐ)介(jiè)紹有(yǒu)關 ALD 設備的其(qí)他信息

1. ALD，CVD，PVD技(jì)術的區別(bié)

2. ALD設備的(dí)全(quán)球市場(cháng)

1. ALD，CVD，PVD技(jì)術的區別(bié)